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氬離子拋光機(jī)在新材料領(lǐng)域的應(yīng)用——單晶基板測(cè)試
發(fā)布時(shí)間:2024-08-20 來(lái)源:本站 瀏覽量:494

單晶基板是一種具有高晶體品質(zhì)的材料,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、集成電路、高頻大功率電子器件等領(lǐng)域。它們具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu),展現(xiàn)出均勻性、各向異性等特征,是良好的半導(dǎo)體材料。

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單晶基板的拋光是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),主要目的包括:

1.實(shí)現(xiàn)超光滑表面

2.去除表面損傷和雜質(zhì),改善表面質(zhì)量

3.實(shí)現(xiàn)晶格匹配,促進(jìn)電子流動(dòng)

4.提高熱導(dǎo)率,改善光學(xué)性能

5.滿足特定應(yīng)用需求


氬離子拋光單晶基板

利用ArNanoFab 100氬離子拋光機(jī)拋光單晶基板是一種先進(jìn)的表面處理技術(shù),具有顯著的優(yōu)點(diǎn):

1.非接觸式加工,避免了機(jī)械拋光可能引入的表面損傷和應(yīng)力

2.有效去除單晶基板表面的損傷層和雜質(zhì),獲得高質(zhì)量、高光滑度的表面,從而提高器件的性能和可靠性

3.離子平面拋光和離子切割一體化技術(shù),一套系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)兩種模式,無(wú)需復(fù)雜的切換流程,簡(jiǎn)潔方便

4.動(dòng)態(tài)離子切割技術(shù),實(shí)現(xiàn)樣品的往復(fù)平移和旋轉(zhuǎn),最大切割長(zhǎng)度達(dá)10mm ,有效減少投影/遮擋效應(yīng)

5.超大的平面拋光裝載尺寸50mm×25mm(直徑×高)

6.能量0.5-10kv連續(xù)可調(diào),既可滿足低能區(qū)減少非晶層,又可兼顧高能區(qū)大幅提高制樣效率

7.相較于其它拋光方法,能夠減少對(duì)單晶基板亞表面造成的損傷,保持材料的完整性和性能

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單晶基板測(cè)試報(bào)告

設(shè)備:ArNanoFAB 100氬離子拋光機(jī)

日期:2024年7月

未拋光

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拋光20min

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拋光40min

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離子拋光處理單晶基板表面微結(jié)構(gòu),前后對(duì)比,拋光后微結(jié)構(gòu)消除干凈。

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離子拋光前

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離子拋光后


補(bǔ)充測(cè)試:ArNanoFAB 100氬離子拋光機(jī)在電子材料領(lǐng)域的應(yīng)用。


離子拋光后觀察IMC層厚度及生長(zhǎng)趨勢(shì)


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離子拋光后觀察

芯片銅基板中間的膏體孔隙尺寸與孔隙分布

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氬離子拋光技術(shù)為單晶基板的表面處理提供了一種高效、環(huán)保、精準(zhǔn)的解決方案,有助于提升最終產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。

同時(shí),氬離子拋光機(jī)在新材料領(lǐng)域的應(yīng)用不僅提高了樣品制備的質(zhì)量,促進(jìn)了新材料的研究和開(kāi)發(fā),還具有環(huán)境友好和高精度加工等特點(diǎn)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,氬離子拋光機(jī)的應(yīng)用范圍將進(jìn)一步拓展,為新材料領(lǐng)域帶來(lái)更多的可能性。


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