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單晶基板是一種具有高晶體品質(zhì)的材料,廣泛應用于半導體器件、集成電路、高頻大功率電子器件等領(lǐng)域。它們具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu),展現(xiàn)出均勻性、各向異性等特征,是良好的半導體材料。
單晶基板的拋光是半導體制造過程中的一個重要環(huán)節(jié),主要目的包括:
1.實現(xiàn)超光滑表面
2.去除表面損傷和雜質(zhì),改善表面質(zhì)量
3.實現(xiàn)晶格匹配,促進電子流動
4.提高熱導率,改善光學性能
5.滿足特定應用需求
氬離子拋光單晶基板
利用ArNanoFab 100氬離子拋光機拋光單晶基板是一種先進的表面處理技術(shù),具有顯著的優(yōu)點:
1.非接觸式加工,避免了機械拋光可能引入的表面損傷和應力
2.有效去除單晶基板表面的損傷層和雜質(zhì),獲得高質(zhì)量、高光滑度的表面,從而提高器件的性能和可靠性
3.離子平面拋光和離子切割一體化技術(shù),一套系統(tǒng)實現(xiàn)兩種模式,無需復雜的切換流程,簡潔方便
4.動態(tài)離子切割技術(shù),實現(xiàn)樣品的往復平移和旋轉(zhuǎn),最大切割長度達10mm ,有效減少投影/遮擋效應
5.超大的平面拋光裝載尺寸50mm×25mm(直徑×高)
6.能量0.5-10kv連續(xù)可調(diào),既可滿足低能區(qū)減少非晶層,又可兼顧高能區(qū)大幅提高制樣效率
7.相較于其它拋光方法,能夠減少對單晶基板亞表面造成的損傷,保持材料的完整性和性能
單晶基板測試報告
設備:ArNanoFAB 100氬離子拋光機
日期:2024年7月
未拋光
拋光20min
拋光40min
離子拋光處理單晶基板表面微結(jié)構(gòu),前后對比,拋光后微結(jié)構(gòu)消除干凈。
離子拋光前
離子拋光后
補充測試:ArNanoFAB 100氬離子拋光機在電子材料領(lǐng)域的應用。
離子拋光后觀察IMC層厚度及生長趨勢
離子拋光后觀察
芯片銅基板中間的膏體孔隙尺寸與孔隙分布
氬離子拋光技術(shù)為單晶基板的表面處理提供了一種高效、環(huán)保、精準的解決方案,有助于提升最終產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。
同時,氬離子拋光機在新材料領(lǐng)域的應用不僅提高了樣品制備的質(zhì)量,促進了新材料的研究和開發(fā),還具有環(huán)境友好和高精度加工等特點。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,氬離子拋光機的應用范圍將進一步拓展,為新材料領(lǐng)域帶來更多的可能性。