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氬離子拋光機
產品簡介:
ArNanoFab 100氬離子拋光機可同時實現動態(tài)平面拋光和離子切割兩種模式,無論軟或硬,多孔或致密,脆性或韌性,熱敏感或非均質多相復合型材料,都可獲得高質量的無損切割截面,此款氬離子拋光機配套電子顯微鏡、電子(離子)探針、原子力顯微鏡等產品,實現樣品無損界面制備。
咨詢電話:0512-68786805
核心優(yōu)勢 技術參數 應用案例
  • 離子平面拋光和離子切割一體化技術,一套系統(tǒng)實現兩種模式,無需復雜的切換流程,簡潔方便1
  • 動態(tài)離子切割技術,實現樣品的往復平移和旋轉,最大切割長度達10mm ,有效減少投影/遮擋效應2
  • 超大的平面拋光裝載尺寸50mm ×25mm(直徑×高),為原位實驗等大尺寸樣品提供可能3
  • 能量0.5-10kv連續(xù)可調,既可滿足低能區(qū)減少非晶層,又可兼顧高能區(qū)大幅提高制樣效率4
  • ArNanoFab 100氬離子拋光機應用案例

    離子平面拋光后的頁巖截面揭示樣品表面納米級孔隙左圖為無機孔,右圖有機孔SEM圖像,石油地質領域。

    離子切割后的手機柔性屏幕內部結構和材料特征SEM圖像,半導體領域。

    氬離子拋光機切割后電鏡圖像

    離子切割后的電池材料截面揭示其內部結構,左圖電池陽極極片,右圖電池隔膜,SEM圖像,能源電池材料領域。

    氬離子拋光機拋光后芯片內部結構

    左圖氬離子拋光機進行離子切割后的芯片內部結構,右圖氬離子拋光機進行離子平面拋光后的芯片內部結構,SEM圖像半導體芯片領域。

    平面拋光后的LED焊盤結構,SEM圖像,半導體光電領域。

    低電壓平面拋光后的合成材料EBSD結果,EBSD圖像,新材料領域。

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