工作原理

在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用下，將鎵離子束聚焦到亞微米甚至納米量級(jí)，通過(guò)偏轉(zhuǎn)和加速系統(tǒng)控制離子束掃描運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)微納圖形的監(jiān)測(cè)分析和微納結(jié)構(gòu)的無(wú)掩模加工

與離子減薄原理相同

氬氣的電離采用高壓來(lái)進(jìn)行，在電場(chǎng)是作用下，電離后的氬離子對(duì)樣品表面進(jìn)行轟擊。在氬離子的持續(xù)轟擊下，樣品慢慢減薄，一直到使透射電鏡觀察要求滿足

應(yīng)用范圍

分析多晶材料晶粒取向、晶界分布和晶粒尺寸分布；芯片、LED等失效分析；芯片修補(bǔ)與線路編輯；光刻掩膜版修復(fù)；離子注入；納米量子電子器件，亞波長(zhǎng)光學(xué)結(jié)構(gòu)，表面等離激元器件，光子晶體結(jié)構(gòu)等（微納加工）

巖石礦物；金屬；復(fù)合材料;涂層材料；光學(xué)元件；粉末材料（電池充放電前后的材料微觀形貌對(duì)比；控制粉末產(chǎn)品的各層厚度，如片狀云母）

陶瓷、半導(dǎo)體、金屬、合金、巖石礦物（頁(yè)巖中各類型的微孔隙及微裂縫掃描）

優(yōu)勢(shì)

能刻畫三維結(jié)構(gòu)；

加工速度快；

二次電子觀測(cè)的同時(shí)定點(diǎn)制樣；

能精確定位

拋光區(qū)域更大；

對(duì)樣品損失更小

對(duì)樣品損失較?。?/span>

對(duì)溫度敏感性的樣品友好

不足

對(duì)樣品損傷較大（體非晶化、高溫?fù)p傷）；

加工區(qū)域較小(多為微米級(jí))；

制樣成本高

僅針對(duì)固定尺寸的樣品；

不能精確定位

適用測(cè)試

透射電鏡（TEM）制樣（樣品尺寸小，厚度<100nm）；截面切割表征分析；微納結(jié)構(gòu)制備；三維重構(gòu)分析；原子探針（AP）制樣

SEM、電子背散射衍射( EBSD) 、陰極熒光( CL) 、電子探針顯微分析（EPMA ）和掃描探針顯微鏡( SPM) 等

透射電鏡（TEM）制樣（專為TEM設(shè)計(jì)）（TEM對(duì)樣品尺寸要求高）

其他

現(xiàn)已發(fā)展成與SEM等設(shè)備聯(lián)用，一般所稱的FIB都指的是FIB-SEM雙束系統(tǒng)；工作方式：成像、濺射、沉積；

具有低能量離子槍、液氮冷臺(tái)